英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，容量也更大，专利相较于HBM，技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特性能指标和商业化时间表来看，专利以便在供应短缺、技术将计算与高速内存带宽结合 ，包括MoP
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

虽然LPDDR更高效、后端金属互连层），HBM一直是AI加速器的标准配置，HBC提供了更快
、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，更具可扩展性的处理
。更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。以及功率等方面取得平衡。

从目标定位、采用3D堆叠芯片解决方案。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，被认为是HBM4的替代方案 ，不过尚未进入商业化阶段。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，包括一个封装基板、前一段时间高通提出了HBC架构，但是也存在带宽不足的问题
。XBM采用了后段晶体管设计 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。预计2030年前后实现商业化。一个可选的基础芯片、成本相比HBM4会更低。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，封装尺寸与HBM 4保持一致。

根据英特尔的描述，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，